(Sr,Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的电学非线性

• 作者: 亓鹏 王文新 王春明 王矜奉 臧国忠 苏文斌 陈洪存
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳酸锶 二氧化锡 势垒 电学非线性
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1752-1755
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 1882字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.07.036

摘要

研究了Sr对新型(Co, Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响.当SrCO3的含量从零增加到1.50mol%时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从240V/mm猛增到1482V/mm.样品的微观结构分析发现, 当SrCO3的含量从零增加到1.50 mol%时, SnO2的晶粒尺寸迅速减小.晶界势垒高度测量揭示,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高的主要原因.对Sr含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.掺杂1.50 mol% SrCO3的SnO2压敏电阻非线性系数为21.4,击穿电压高达1482V/mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王矜奉	山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室	64	562	13.0	20.0
2	陈洪存	山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室	40	335	12.0	15.0
3	亓鹏	山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室	13	107	7.0	10.0
4	苏文斌	山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室	27	203	10.0	13.0
5	臧国忠	山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室	16	145	8.0	11.0
6	王文新	山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室	9	70	5.0	8.0
7	王春明		1	5	1.0	1.0