反应磁控溅射法制备nc-TiN/a-Si3N4薄膜的Young's模量和内耗

• 作者: S.Veprek 方前锋 李世直 李朝升 王先平
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米TiN/非晶Si3N4薄膜 内耗 Young's模量 非稳定界面
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 页码范围: 1193-1196
• 页数: 4页
• 分类号: TG113.22|TB383
• 字数: 1595字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2003.11.019

摘要

利用振簧技术测量了不同退火状态下的nc-TiN/a-Si3N4超硬薄膜的Young's模量和内耗随温度的变化关系.在280-300℃附近观察到一个弛豫内耗峰.随着退火温度的升高,该内耗峰逐渐减弱,而Young's模量变化不大.750℃退火后,该内耗峰消失,而模量却从未退火时的430 GPa激增至530 GPa.初步认为该内耗峰来源于非稳定界面的弛豫过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方前锋	中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室	51	197	8.0	12.0
2	王先平	中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室	19	93	4.0	9.0
3	李朝升	中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室	4	49	3.0	4.0
4	李世直	青岛科技大学材料与环境科学学院	2	4	1.0	2.0