薄膜SOI温度传感器中的少数载流子排斥效应

• 作者: 刘百勇 李斌 郑学仁 黎沛涛
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 少数载流子排斥效应 高温传感器 扩展电阻 SOI
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 461-465
• 页数: 5页
• 分类号: TN379
• 字数: 1282字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.05.003

摘要

在薄膜SOI衬底上制备普通电阻结构的硅温度传感器,并具有令人满意的特性:即使在0.1mA的低偏置电流下,器件的最高温度工作温度仍能达到550℃.实验结果分析说明,当硅膜足够薄时,普通电阻结构中可表现出较强的少数载流子排斥效应,大大提高了本征转折温度,从而提高器件的最高工作温度.同时,由于薄膜SOI温度电阻的结构对器件最高工作温度的影响不大,因而传感器的器件结构可以根据需要来选择.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	华南理工大学应用物理系	128	542	12.0	17.0
2	刘百勇	华南理工大学应用物理系	6	37	2.0	6.0
3	郑学仁	华南理工大学应用物理系	72	463	12.0	17.0
4	黎沛涛	香港大学电机电子工程系	11	77	5.0	8.0