大、中功率MOSFET与IGBT驱动电路方案探讨

• 作者: 侯振义 徐小杰
• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: 驱动电路 集成驱动器 隔离
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 35-36
• 页数: 2页
• 分类号: TN386.1

摘要

本文对应用于大、中功率情况下的MOSFET与IGBT的驱动电路方案进行了详细的分析,并给出了具体的实现方案。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐小杰	空军工程大学电讯工程学院	24	56	3.0	7.0
2	侯振义	空军工程大学电讯工程学院	93	241	9.0	15.0