SiC(N)/LAS纳米陶瓷复合材料的介电特性

• 作者: 周万城 焦桓 罗发 赵东林
• 来源期刊: 复合材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米SiC(N) LAS玻璃陶瓷 SiC(N)/LAS复合材料 介电常数
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 98-101
• 页数: 4页
• 分类号: TB332|TM25
• 字数: 3081字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3851.2003.03.020

摘要

采用LAS玻璃粉末和激光诱导法制备的纳米SiC(N)粉体,通过热压烧结法制备了SiC(N)/LAS纳米陶瓷复合材料,研究了该复合材料在8.2～12.4 GHz频率范围内的微波介电特性.结果表明,SiC(N)/LAS的介电常数主要受纳米SiC(N)粉体含量的控制,此外还与烧结温度有关.随着烧结温度的提高,复合材料介电常数和介电损耗均随之增大.SiC(N)/LAS对电磁波的损耗作用明显优于同体积分数的纳米SiC(N)与石蜡混合体,这与烧结过程中形成的碳界面有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗发	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	168	1535	19.0	30.0
2	周万城	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	206	1931	22.0	34.0
3	焦桓	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	15	458	9.0	15.0
4	赵东林	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	16	295	8.0	16.0