Ag掺杂对新型SnO2压敏材料的电学性质的影响

• 作者: 亓鹏 王文新 王春明 王矜奉 臧国忠 苏文斌 赵春华 陈洪存 高建鲁
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化银 二氧化锡 势垒 电学非线性
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 685-686,689
• 页数: 3页
• 分类号: TN379
• 字数: 2217字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2003.06.028

摘要

烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的.为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2*6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验.当AgO的含量从0.00增加到1mol%时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从349V/mm增大到429V/mm,1kHz时的相对介电常数从2240减小到1560.晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高和介电常数迅速减小的主要原因.对Ag掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.