掺钇钨酸铅晶体缺陷的理论计算

• 作者: 刘峰松 姚明珍 梁玲 陈铭南 顾牡
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺钇钨酸铅晶体 密度泛函理论 吸收中心 态密度
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 页码范围: 413-419
• 页数: 7页
• 分类号: O77
• 字数: 4562字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2003.05.002

摘要

采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法,计算了掺钇PbWO4晶体中多种相关缺陷的电荷分布和不同团簇缺陷结合能,并讨论了相关缺陷的电荷补偿机制.VPb是掺Y钨酸铅晶体中主要的电荷补偿方式.YPb3++VPb相关缺陷可能是晶体中存在的主要缺陷,其中[2(Y3+Pb)-VPb'']在晶体中更稳定.缺陷态[2(Y3+Pb)-VPb'']和[(Y3+Pb)-VPb'']的态密度分布及其激发能的计算结果表明:掺Y晶体O2p→W5d的跃迁能量均为4.3eV,使周围WO42-禁带宽度增大,可改善420nm与350nm的吸收,并通过减少VPb-VO联合空位可有效抑制PbWO4晶体的本征吸收.晶体中掺Y与掺La对发光影响不同,掺Y可敏化PWO晶体的蓝发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘峰松	同济大学玻耳固体物理研究所	6	22	3.0	4.0
2	顾牡	同济大学玻耳固体物理研究所	76	433	13.0	16.0
3	姚明珍	同济大学玻耳固体物理研究所	8	61	5.0	7.0
4	梁玲	同济大学玻耳固体物理研究所	11	90	6.0	9.0
5	陈铭南	同济大学玻耳固体物理研究所	19	122	7.0	10.0