纳米管场发射的电场计算

• 作者: 杨楠 王万录 王乐 胡陈果
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米管 电磁场理论 场发射
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 111-115
• 页数: 5页
• 分类号: O462.4
• 字数: 3571字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2003.02.011

摘要

利用电磁场理论计算出单根纳米管场发射时其尖端附近的电势和电场分布.结果表明,纳米管尖端表面电场非常强,随着距离尖端表面的距离的增加,电场迅速下降;尖端附近的场强与纳米管场发射有低的阈值电压相符合.计算还给出在保持极板间距离和电压不变的情况下,纳米管长径比越大,尖端电场越强,因此,具有更低的阈值电压.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王万录	重庆大学数理学院	109	849	16.0	22.0
2	胡陈果	重庆大学数理学院	26	224	8.0	14.0
3	杨楠	重庆大学数理学院	7	23	3.0	4.0
4	王乐	重庆大学数理学院	5	6	2.0	2.0