AlN薄膜室温直接键合技术

• 作者: 吴雁军 安正华 徐政 林成鲁 门传玲
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlN薄膜 智能剥离 绝缘层上硅
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 216-220
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.9
• 字数: 2264字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.02.021

摘要

采用离子束增强沉积技术在100mm硅片上制备大面积均匀AlN薄膜,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙度(RMS)为0.13nm,满足直接键合的需要.同时,采用智能剥离技术成功实现了室温下AlN与注氢硅片的直接键合,形成了以AlN薄膜为埋层的SOI结构,即AlN上的硅结构(SOAN).用扩展电阻、卢瑟福背散射-沟道、剖面透射电镜等技术分析了所形成的SOAN结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐政	同济大学材料学院微电子所	160	2312	24.0	39.0
2	林成鲁	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	44	595	15.0	23.0
3	门传玲	同济大学材料学院微电子所	4	39	4.0	4.0
7	安正华	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	6	28	4.0	5.0
8	吴雁军	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	2	9	1.0	2.0