纳米GaP材料Ga填隙缺陷的EPR实验观察

• 作者: 崔得良 张兆春 邹陆军
• 来源期刊: 波谱学杂志
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子顺磁共振 纳米 GaP 点缺陷
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 页码范围: 335-342
• 页数: 8页
• 分类号: O474
• 字数: 5085字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-4556.2003.04.003

摘要

利用电子顺磁共振(EPR)技术对纳米GaP粉体材料的本征点缺陷进行了研究, 结果表明: 由EPR信息的g因子值(2.0027±0.0004)可以确定纳米GaP粉体材料存在Ga自填隙(Gai)本征缺陷; 纳米GaP粉体EPR信号超精细结构消失, 以及谱线线宽(ΔH PP)变窄等实验现象, 可能是由纳米材料界面的无序性, 以及缺陷原子和界面原子之间的电子交换造成的; 在较低的测试温度范围内, 升高温度引起纳米GaP材料发生晶界结构弛豫; 当测试温度由100 K升高至423 K时, ΔHPP值和自由基浓度皆逐渐降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张兆春	山东大学晶体材料研究所	3	8	2.0	2.0
2	邹陆军	山东大学晶体材料研究所	1	5	1.0	1.0
3	崔得良	上海大学材料科学与工程学院	1	5	1.0	1.0