新型MEMS可变光衰减器的微磁执行器

• 作者: 吴茂松 杨春生 茅昕辉 蔡炳初 赵小林
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 微机电系统(MEMS) 可变光衰减器 执行器 电感器
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 压电及其他功能器件
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: TN715
• 字数: 3244字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2003.01.008

摘要

探讨了新型可变光衰减器--光纤横向偏移型MEMS可变光衰减器的微磁驱动方式,从理论上分析了微磁执行器设计时应遵从的原理,讨论和设计了微磁执行器的各个参数,新开发了结合使用正胶(AZ-4000系列)和负胶(SU-8系列)的UV-LIGA工艺:在制作了光纤定位槽的基片上溅射Cr/Cu作为电镀种子层,涂布正胶,紫外光刻得到电镀模具,电镀Cu和FeNi分别得到线圈的下层、中层和上层以及铁芯;在完成下层和中层后,分别进行一次负胶工艺以形成电绝缘层和后续结构的支撑平台,即涂布负胶覆盖较下层结构,光刻开出了通往较上一层的通道并使SU-8聚合、交联以满足性能要求.并运用该工艺实现了微磁执行器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡炳初	上海交通大学微纳米科学技术研究院信息存储研究中心	49	769	15.0	26.0
2	吴茂松	上海交通大学微纳米科学技术研究院信息存储研究中心	6	53	4.0	6.0
3	杨春生	上海交通大学微纳米科学技术研究院信息存储研究中心	33	314	10.0	16.0
4	茅昕辉	上海交通大学微纳米科学技术研究院信息存储研究中心	8	172	5.0	8.0
5	赵小林	上海交通大学微纳米科学技术研究院信息存储研究中心	56	549	13.0	20.0