IGBT的瞬态保护和缓冲电路

• 作者: 张奕黄 杨岳峰
• 来源期刊: 电机电器技术
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 缓冲吸收回路
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 电机电器技术
• 页码范围: 10-11
• 页数: 2页
• 分类号: TN34
• 字数: 1521字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-6079.2003.03.004

摘要

IGBT绝缘栅双极性功率晶闸管是MOS管同双极性晶体管结合的产物,一般的IGBT模块都是几合一或一个IGBT一个续流二极管集成而成,IGBT的栅压不能过高,过高很容易击穿,所以IGBT的门极都并联两个反并联15V～18V的稳压二极管.同时由于人体电容很小,积累少量电荷就能产生高压,所以尽量避免用于触摸IGBT的引脚,同时,在IGBT没有接入电路中长期放置时,应将其门极同阴极短路,在使用中要尤其注意IGBT的瞬态保护,否则很有可能损坏IGBT.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨岳峰	北京市北方交通大学电气工程学院	1	78	1.0	1.0
2	张奕黄	北京市北方交通大学电气工程学院	1	78	1.0	1.0