高电容比射频/微波MEMS膜开关的理论分析和数值模拟

• 作者: 朱自强 赖宗声 龙永福
• 来源期刊: 微波学报
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS膜开关 电容比 阈值电压 维持电压
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 科研通讯
• 页码范围: 56-60
• 页数: 5页
• 分类号: TN
• 字数: 2379字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-6122.2003.01.013

摘要

建立了一个MEMS膜开关电容比理论模型.由于这个模型比较全面地考虑了开关阈值电压、维持电压、偏置电压和介质膜内的电场强度等因素对电容比的影响,因而能较为正确地反映开关的电容特性.用数值方法计算了影响开关电容比的因素,并对计算结果进行了分析和讨论.提出了使用脉冲电压作为偏置电压可以使介质膜gj的厚度减少到50nm,从而使开关的电容比增加到3800.最后,讨论了实现高电容比MEMS 膜开关的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱自强	华东师范大学电子系	40	272	11.0	13.0
2	赖宗声	华东师范大学电子系	136	779	13.0	18.0
3	龙永福	华东师范大学电子系	5	39	4.0	5.0