ZnS1-xTex混晶的压力光谱

• 作者: 丁琨 刘南竹 方再利 朱作明 李国华 苏付海 苏萌强 葛惟锟 韩和相 马宝珊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Te等电子陷阱 压力 光致发光
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 370-376
• 页数: 7页
• 分类号: O472+.3
• 字数: 4493字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.04.008

摘要

研究了ZnS1-xTex(0.02≤x≤0.3)混晶的静压光致发光谱.每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰,来源于束缚在Ten(n≥2)等电子陷阱上的激子复合发光,且随压力(0～7.0GPa)而蓝移.发光峰的压力系数比相应混晶带边的都要小,随着Te组分的增加而减小,与混晶带隙压力系数的差别也越来越大.由于压力下与发光峰对应的吸收能量逐渐接近并超过激发光的能量,与发光峰有关的吸收效率降低,发光峰积分强度随着压力增加而减小.据此估算了Ten等电子中心的Stokes位移.发现Stokes位移随着Te组分的增加而减小.