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摘要:
本文介绍了SOI晶体管的结构和特点,并对体硅CMOS电路和SOI CMOS电路在工艺及版图设计上进行了比较.
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绝缘体上硅(SOI)
部分耗尽(PD)
静态存储器
故障模型
测试码
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 SOI电路的研制
来源期刊 微处理机 学科 工学
关键词 SOI 工艺 版图设计
年,卷(期) 2003,(4) 所属期刊栏目 大规模集成电路设计、制造与应用
研究方向 页码范围 13-14,21
页数 3页 分类号 TN4
字数 1045字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-2279.2003.04.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张斌 2 0 0.0 0.0
2 栾兰 3 18 2.0 3.0
3 王雪峰 2 3 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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二级参考文献  (0)
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参考文献  (0)
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2003(0)
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研究主题发展历程
节点文献
SOI
工艺
版图设计
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微处理机
双月刊
1002-2279
21-1216/TP
大16开
沈阳市皇姑区陵园街20号
1979
chi
出版文献量(篇)
3415
总下载数(次)
7
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