纳米级MOSFET的模拟

• 作者: 刘弋波 刘恩峰 刘晓彦 夏志良 杜刚 韩汝琦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米尺度 半导体器件模拟 流体动力学 量子效应
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 页码范围: 148-152
• 页数: 5页
• 分类号: T304.02
• 字数: 2670字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.z1.034

摘要

利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型,编制了流体动力学半导体器件模拟程序,并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟.模拟结果表明,改进后的流体动力学模型在工程应用中能够适应模拟纳米级MOSFET的要求,用于纳米级MOSFET的特性研究和优化设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘恩峰	北京大学微电子学系	5	30	2.0	5.0
2	刘晓彦	北京大学微电子学系	41	268	9.0	15.0
3	韩汝琦	北京大学微电子学系	38	261	10.0	14.0
4	刘弋波	北京大学微电子学系	3	2	1.0	1.0
5	杜刚	北京大学微电子学系	15	56	5.0	7.0
6	夏志良	北京大学微电子学系	4	7	2.0	2.0