ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究

• 作者: 姚宁 张兵临 辛荣生 边超 陶海华
• 来源期刊: 郑州大学学报(理学版)
• 学科: 工学
• 关键词: ITO薄膜 直流磁控反应溅射法 光电特性 透过率
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 页码范围: 37-40
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3130字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-6841.2003.04.008

摘要

论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响.当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时,会导致金属In,InO,SnO和Sn3O4等物质以及晶体缺陷的生成,从而降低ITO薄膜的导电性或可见光透过率,甚至同时降低其光电性能.实验结果表明,当Ar流量为40.2cm3*min-1、温度为360℃和旋转溅射时间为90 min等参数保持不变时, ITO薄膜光电特性最佳溅射参数的氧流量为0.42cm3·min-1,溅射气压为0.5 Pa, 溅射电流0.3 A(溅射电压约为245 V),所得薄膜的方块电阻为5.7Ω、波长为550 nm的绿光透过率达到88.6%(洁净玻璃基底的绿光透光率为91.6%).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚宁	郑州大学物理工程学院	122	692	12.0	18.0
2	张兵临	郑州大学物理工程学院	95	608	12.0	18.0
3	辛荣生	郑州大学材料工程学院	27	246	9.0	14.0
4	陶海华	郑州大学物理工程学院	1	39	1.0	1.0
5	边超	郑州大学物理工程学院	7	135	5.0	7.0