高调节范围RF MEMS压控电容的设计与模拟

• 作者: 刘泽文 刘理天 李志坚 梁雪冬
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS压控电容 崩塌效应 牺牲层 聚酰亚胺
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 页码范围: 179-182
• 页数: 4页
• 分类号: TM532.5
• 字数: 1586字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.z1.040

摘要

对传统平行极板MEMS压控电容的局限性进行了理论分析,提出了一种新型的高调节范围MEMS压控电容.它的特点在于使用了三对极板,其中的一对是电容极板,另外两对是控制极板.电容极板用于传输交流信号,而直流控制电压施加在控制极板上.使用有限元分析软件Ansys对其进行了建模与仿真,得出其调节范围高达214%,大大超出了传统的平板电容在调节范围上的自然限制(50%).设计了该电容的工艺流程.其工艺流程比较简单,很容易集成在标准的CMOS集成电路中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
2	刘泽文	清华大学微电子学研究所	50	169	7.0	10.0
3	李志坚	清华大学微电子学研究所	84	451	11.0	15.0
4	梁雪冬	清华大学微电子学研究所	6	12	1.0	3.0