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摘要:
利用CMOS晶体管迁移率和阈值电压温度效应相互补偿的原理,采用CSMC-HJ 0.6μm CMOS技术设计了一种稳定的带隙参考电压源,该带隙参考电压源可以在0~85℃、电源电压 4.5~5.5V的范围内正常工作,输出参考电压为1.122~1.176V, 输出参考电压浮动比例小于±3.70%. 包括键合用的焊盘在内,芯片的总面积仅为0.4 mm×0.4 mm,当电源电压在4.5~5.5V范围内变化时,电路总的功率消耗在28.3~48.8 mW 之间浮动.
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内容分析
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文献信息
篇名 一种0.6μm CMOS带隙参考电压源
来源期刊 东南大学学报(英文版) 学科 工学
关键词 CMOS 相互补偿 迁移率和阈值电压温度效应
年,卷(期) 2003,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 221-224
页数 4页 分类号 TN722
字数 825字 语种 英文
DOI 10.3969/j.issn.1003-7985.2003.03.004
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS
相互补偿
迁移率和阈值电压温度效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
东南大学学报(英文版)
季刊
1003-7985
32-1325/N
大16开
南京四牌楼2号
1984
eng
出版文献量(篇)
2004
总下载数(次)
1
总被引数(次)
8843
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
论文1v1指导