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一种0.6μm CMOS带隙参考电压源
一种0.6μm CMOS带隙参考电压源
作者:
冯军
夏春晓
张丽
梁帮立
熊明珍
王志功
田俊
胡艳
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CMOS
相互补偿
迁移率和阈值电压温度效应
摘要:
利用CMOS晶体管迁移率和阈值电压温度效应相互补偿的原理,采用CSMC-HJ 0.6μm CMOS技术设计了一种稳定的带隙参考电压源,该带隙参考电压源可以在0~85℃、电源电压 4.5~5.5V的范围内正常工作,输出参考电压为1.122~1.176V, 输出参考电压浮动比例小于±3.70%. 包括键合用的焊盘在内,芯片的总面积仅为0.4 mm×0.4 mm,当电源电压在4.5~5.5V范围内变化时,电路总的功率消耗在28.3~48.8 mW 之间浮动.
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CMOS工艺
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曲率校正
温度系数
带隙电压
一种低电压的CMOS带隙基准源
带隙基准源
温度系数
电源抑制比
内容分析
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期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
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(/年)
文献信息
篇名
一种0.6μm CMOS带隙参考电压源
来源期刊
东南大学学报(英文版)
学科
工学
关键词
CMOS
相互补偿
迁移率和阈值电压温度效应
年,卷(期)
2003,(3)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
221-224
页数
4页
分类号
TN722
字数
825字
语种
英文
DOI
10.3969/j.issn.1003-7985.2003.03.004
五维指标
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS
相互补偿
迁移率和阈值电压温度效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
东南大学学报(英文版)
主办单位:
东南大学
出版周期:
季刊
ISSN:
1003-7985
CN:
32-1325/N
开本:
大16开
出版地:
南京四牌楼2号
邮发代号:
创刊时间:
1984
语种:
eng
出版文献量(篇)
2004
总下载数(次)
1
总被引数(次)
8843
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
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学科类型:
数理科学
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