SiC陶瓷材料分子动力学模拟概述

• 作者: Lee Seung-Hyeob 朱定一 汤伟
• 来源期刊: 山东陶瓷
• 学科: 工学
• 关键词: 分子动力学模拟 SiC Tersoff势
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 11-13
• 页数: 3页
• 分类号: TQ174.75+8.12
• 字数: 1992字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-0639.2003.06.003

摘要

SiC是第3代宽带隙半导体的核心材料之一,具有极为优良的物理化学性能,应用前景十分广阔.本文着重介绍SiC陶瓷材料的分子动力学模拟的势能模型及主要技术细节.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱定一	福州大学材料科学与工程学院	79	831	15.0	27.0
2	汤伟	福州大学材料科学与工程学院	9	139	7.0	9.0
3	Lee Seung-Hyeob		1	9	1.0	1.0