具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究

• 作者: 刘峰奇 张元常 徐波 朱天伟 王占国
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaAs量子点 InAlAs浸润层 PL谱
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2087-2091
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2641字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.08.048

摘要

采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点/InAlAs浸润层结构.通过选取合适的In组分,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当,从而使浸润层的量子阱特征消失.通过低温光致发光(PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点/InAlAs浸润层在样品中的确切位置.变温PL谱的研究显示,具有这种结构的量子点发光峰的半高全宽随温度上升出现展宽,这明显区别于普通InGaAs量子点半高全宽变窄的行为.这是因为采用了InAlAs浸润层后,不仅增强了对InGaAs量子点的限制作用,同时切断了载流子的转移通道,使得量子点更加孤立后表现出来的性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐波	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	92	929	15.0	27.0
2	刘峰奇	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	25	171	8.0	12.0
3	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	101	701	15.0	23.0
4	朱天伟	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	1	1	1.0	1.0
5	张元常	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	1	1	1.0	1.0