不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

• 作者: 任迪远 余学锋 张国强 王明刚 胡浴红 赵文魁 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 注F CMOS运算放大器 电离辐照 跨导
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 780-784
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2704字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.07.020

摘要

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国强	中国科学院新疆理化技术研究所	82	553	12.0	21.0
2	余学锋	中国科学院新疆理化技术研究所	22	152	6.0	12.0
3	陆妩	中国科学院新疆理化技术研究所	42	320	11.0	16.0
4	郭旗	中国科学院新疆理化技术研究所	50	338	10.0	16.0
5	任迪远	中国科学院新疆理化技术研究所	59	375	11.0	16.0
6	胡浴红		5	20	3.0	4.0
7	王明刚		5	20	3.0	4.0
8	赵文魁		5	22	3.0	4.0