AlAs/AlGaAs的湿氧氧化及其在VCSEL制备中的应用

• 作者: 廉鹏 朱文军 沈光地 渠红伟 邹德恕 郭霞 黄静
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: VCSEL AlGaAs 氧化
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 341-343,349
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2107字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2003.05.014

摘要

根据制备垂直腔面发射激光器(VCSEL)电流限制层的需要,通过实验方法研究了氧化温度、Al组分和晶向等条件对AlGaAs氧化速率的影响,得到适用于VCSEL的材料参数和氧化条件;对氧化后表面分层、欧姆接触特性变差等现象进行分析,得到解决或改善方案.比较AlAs和Al0.98Ga0.02As氧化特性及氧化后的热稳定性,结果表明Al0.98Ga0.02As较AlAs更适于作VCSEL电流限制层.将优化的氧化条件及材料参数应用于VCSEL制备,得到室温连续工作的VCSEL器件,其阈值电流为0.8 mA,激射波长为980 nm,工作电流为15 mA时输出功率可达3.2 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学北京光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
2	郭霞	北京工业大学北京光电子技术实验室	54	397	11.0	16.0
3	邹德恕	北京工业大学北京光电子技术实验室	58	270	10.0	12.0
4	朱文军	北京工业大学北京光电子技术实验室	13	32	3.0	5.0
5	黄静	北京工业大学北京光电子技术实验室	23	114	6.0	10.0
6	渠红伟	北京工业大学北京光电子技术实验室	3	12	2.0	3.0
7	廉鹏	北京工业大学北京光电子技术实验室	15	86	6.0	8.0