额外HCl和氮化对HVPE GaN生长的影响

• 作者: 俞慧强 修向前 卢佃清 叶宇达 张荣 李杰 毕朝霞 郑有炓
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氢化物气相外延(HVPE) GaN 氮化 额外HCl
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1171-1175
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2089字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.11.010

摘要

在氢化物气相外延(HVPE)生长GaN过程中,发现了一种在成核阶段向生长区添加额外HCl来改善GaN外延薄膜质量的方法,并且讨论了额外HCl和氮化对GaN形貌和质量的影响.两种方法都可以大幅度地改善GaN的晶体质量和性质,但机理不同.氮化是通过在衬底表面形成AlN小岛,促进了衬底表面的成核和薄膜的融合;而添加额外HCl则被认为是通过改变生长表面的过饱和度引起快速成核从而促进薄膜的生长而改善晶体质量和性质的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李杰	南京大学物理系	26	170	8.0	12.0
2	郑有炓	南京大学物理系	78	353	11.0	15.0
3	张荣	南京大学物理系	134	576	13.0	17.0
4	卢佃清	南京大学物理系	5	33	3.0	5.0
5	修向前	南京大学物理系	28	97	5.0	9.0
6	毕朝霞	南京大学物理系	3	13	2.0	3.0
7	叶宇达	南京大学物理系	7	53	3.0	7.0
8	俞慧强	南京大学物理系	9	65	3.0	8.0