一种用于提取LDD结构n-MOSFET热载流子应力下界面陷阱产生的改进方法

• 作者: 杨国勇 毛凌锋 王子欧 王金延 许铭真 谭长华 霍宗亮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热载流子应力 LDD结构 超薄栅氧化层 两步退化机制
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 803-808
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 754字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.08.005

摘要

提出了一种新的基于电荷泵技术和直流电流法的改进方法,用于提取LDD n-MOSFET沟道区与漏区的界面陷阱产生.这种方法对于初始样品以及热载流子应力退化后的样品都适用.采用这种方法可以准确地确定界面陷阱在沟道区与漏区的产生,从而有利于更深入地研究LDD结构器件的退化机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	霍宗亮	北京大学微电子学研究所	8	12	2.0	2.0
2	毛凌锋	北京大学微电子学研究所	16	38	4.0	4.0
3	谭长华	北京大学微电子学研究所	48	99	5.0	7.0
4	许铭真	北京大学微电子学研究所	52	102	5.0	7.0
5	王金延	北京大学微电子学研究所	13	15	2.0	3.0
6	杨国勇	北京大学微电子学研究所	18	93	6.0	9.0
7	王子欧	北京大学微电子学研究所	6	35	2.0	5.0