双E型加速度传感器硅芯片的优化设计

• 作者: 唐世洪 张克梅 谭子尤 邓永和
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅芯片 加速度传感器
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 85-87
• 页数: 3页
• 分类号: TP212.12
• 字数: 1835字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2003.01.021

摘要

介绍了最新优化设计的双E型加速度传感器硅芯片结构和工艺的实现.通过控制不同敏感硅芯片弹性膜的厚度,即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器.