多孔硅M/PS结的研究

• 作者: 徐伟弘 王发强 许国良
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔硅 I-V特性
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 24-26
• 页数: 3页
• 分类号: O472+.8
• 字数: 1952字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-488X.2003.01.005

摘要

对不同金属形成的M/PS/Si/Al结构样品进行测试,发现其I-V特性曲线具有相似的形状,区别仅在于高偏压下的串连电阻不同,通过进行表面态对M/PS影响的分析可知M/PS具有欧姆行为特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王发强	南京大学光通信工程研究中心	7	36	4.0	5.0
2	许国良	南京大学光通信工程研究中心	24	288	7.0	16.0
3	徐伟弘	东南大学电子工程系	5	81	2.0	5.0