GaAs高、低密勒指数表面性质的对比研究

• 作者: 宋友林 李丹 赵先林
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 高指数表面 悬挂键 电子密度 稳定表面
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 668-670
• 页数: 3页
• 分类号: O472
• 字数: 3749字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2003.06.022

摘要

对半导体GaAs的高低密勒指数表面的性质进行了比较研究.根据表面的原子排列分别计算了(001)、(114)、(113)、(112)和(111)各晶向的表面悬挂键密度以及表面的多余电子密度,探讨了理想表面和稳定表面的差别以及影响表面稳定性的因素.研究表明低指数表面的稳定性并不优于高指数表面,表面稳定性满足表面电子数目规则优于满足表面悬挂键数目最少原则.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李丹	广西师范大学物理与信息工程学院	66	160	8.0	11.0
2	赵先林	河南教育学院物理系	19	31	3.0	4.0
3	宋友林	河南教育学院物理系	20	36	2.0	4.0