具有电阻场板的薄膜SOI-LDMOS的精确解析

• 作者: 杨洪强 郭丽娜 郭超 陈星弼 韩磊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 电阻场板 横向双扩散MOS管 埋氧层 电离率 击穿电压 比导通电阻
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 977-982
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 4095字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.09.017

摘要

介绍了一种对具有电阻场板的薄膜SOI-LDMOS的精确解析设计方法.在对电场分析的基础上,提出了新的电离率模型,并求出了电离率积分的准确路径,进而得到击穿电压、漂移区掺杂、漂移区长度与SOI硅层厚度、埋氧层厚度的关系.模拟结果表明,解析与模拟结果具有很好的一致性,而且设计的器件具有击穿电压大、比导通电阻极小的优点.该解析理论为在薄膜SOI材料上制作性能优良的高压功率器件提供了一个很好的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈星弼	电子科技大学微电子与固体电子学院	31	254	8.0	15.0
2	韩磊	电子科技大学微电子与固体电子学院	7	42	4.0	6.0
3	杨洪强	电子科技大学微电子与固体电子学院	6	41	4.0	6.0
4	郭丽娜	电子科技大学微电子与固体电子学院	3	18	2.0	3.0
5	郭超	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	23	2.0	2.0