p型ZnO和ZnO同质p-n结的研究进展

• 作者: 付竹西 杨晓杰 许小亮
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 同质p-n结 激光器件
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 121-125
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2|O475
• 字数: 7953字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2003.02.003

摘要

ZnO基注入式发光二极管和激光器件的研究目前仍处于初级阶段,即p型ZnO和ZnOp-n结的制备与特性研究.由于ZnOO薄膜中存在较强的自补偿机制,使得很难有效地施行p型元素的掺杂.本文介绍了目前国际上通用的掺杂方法,对不同方法制备的p型ZnO和ZnOp-n结的特点进行了比较分析,并讨论了目前生长高质量的突变型ZnOp-n结所面临的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许小亮	中国科学技术大学物理系	45	402	12.0	18.0
2	杨晓杰	中国科学技术大学物理系	8	76	4.0	8.0
3	付竹西	中国科学技术大学物理系	2	31	2.0	2.0