一种克服SOI MOSFET器件自加热效应的方法

• 来源期刊: 南京师范大学学报(工程技术版)
• 学科: 工学
• 关键词: SOI硅一绝缘体 MOSFET器件 自加热效应
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 页码范围: 55-58
• 页数: 4页
• 分类号: TN43
• 字数: 484字
• 语种: 中文

摘要

MOS器件的自加热效应将影响器件的性能.漏极电流将减小,长时间的可靠性也会受到影响.在SOI器件中,自加热甚至比埋葬式氧化物引起的问题更严重.本文通过在SOI和基片之间增加一条具有高导热和低导电的路径,减小了自加热的负面效应.