氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化

• 作者: 何丕模 张寒洁 杨德仁 汪雷 祝洪良 裴艳丽 阙端麟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 X射线光电子谱 氮化
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1049-1052
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2453字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.10.009

摘要

研究了直拉硅单晶片在氮气氛下热处理时的表面氮化,利用了XPS(X射线光电子谱)、SEM(扫描电子显微镜)、金相显微镜、XRD(X射线衍射仪)等手段研究了在高纯氮和非高纯氮保护条件下不同温度热处理后的样品表面,结果发现只有用高纯氮保护和温度高于1100℃的条件下,氮气才能与硅表面发生反应,生成氮化硅(Si3N4)薄膜,否则氮保护中微量的氧气会和硅表面发生反应,生成二氧化硅(SiO2)薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
3	张寒洁	浙江大学物理系	22	56	3.0	6.0
4	何丕模	浙江大学物理系	35	120	6.0	10.0
5	汪雷	浙江大学硅材料国家重点实验室	41	646	13.0	25.0
6	祝洪良	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	28	2.0	3.0
7	裴艳丽	浙江大学硅材料国家重点实验室	4	36	3.0	4.0