铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长

• 作者: 张富强 彭长涛 林兰英 陈诺夫
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铁磁/半导体异质结 物理气相沉积 MnSb
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 494-498
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2907字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.05.010

摘要

采用一种新的生长铁磁/半导体异质结材料的方法--物理气相沉积方法生长了一种铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si.对所获得的样品进行特征X射线能谱分析表明Mn和Sb在Si衬底上的沉积速率相近,它们的原子百分数之比接近1∶1.X射线衍射分析发现薄膜中形成了MnSb相,样品在室温下测出磁滞回线也从侧面验证了存在MnSb相.用原子力显微镜对样品的表面进行观察,发现MnSb呈有规则形状的小晶粒状,晶粒大小比较均匀,尺寸大多数在500nm左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林兰英	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	33	145	7.0	10.0
2	陈诺夫	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	33	154	6.0	11.0
6	彭长涛	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	4	19	2.0	4.0
8	张富强	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	3	9	2.0	3.0