利用弛豫谱技术对界面陷阱密度和其能量分布的研究

• 作者: 毛凌锋 许铭真 谭长华 霍宗亮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 弛豫谱技术 界面陷阱 MOS结构
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 18-23
• 页数: 6页
• 分类号: TN43
• 字数: 2563字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.01.004

摘要

基于界面陷阱的定义,通过分别对亚阈值摆幅漂移和亚阈区栅电压漂移采用弛豫谱技术有效地提取了1.9nm MOS结构中的界面陷阱密度和它的能量分布.发现这两种方法提取的界面陷阱密度的能量分布是自洽的,同时也与文献报道的DCIV等方法的结果是一致的.与其它的提取方法相比,采用弛豫谱技术的这两种方法更加简单和方便.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	霍宗亮	北京大学微电子学研究所	8	12	2.0	2.0
2	毛凌锋	北京大学微电子学研究所	16	38	4.0	4.0
3	谭长华	北京大学微电子学研究所	48	99	5.0	7.0
4	许铭真	北京大学微电子学研究所	52	102	5.0	7.0