基于场发射三极管结构的离子轰击分析

• 作者: 张晓兵 王保平 雷威 高迎宾
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 场发射 离子轰击 离子陷阱 数值模拟
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 页码范围: 365-370
• 页数: 6页
• 分类号: TN141.5
• 字数: 3795字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2003.04.010

摘要

离子轰击影响场致发射器件的稳定性和工作寿命。本文以碳纳米管场发射三极管结构为例模拟了气体-电子碰撞电离产生的正离子回轰阴极的全过程,对模型中的平面阴极受损的位置和程度进行了的分析;为了减小离子轰击的影响,在三极管中引入了第二栅极利用其离子陷阱效应,并模拟了使用第二栅极后正离子回轰阴极的全过程和阴极受损情况。模拟结果证明,加入离子陷阱结构后可以明显改善场致发射三极管的离子轰击问题。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王保平	东南大学电子工程系	70	304	9.0	13.0
2	雷威	东南大学电子工程系	89	538	12.0	18.0
3	张晓兵	东南大学电子工程系	87	746	13.0	24.0
4	高迎宾	东南大学电子工程系	2	6	1.0	2.0