非均匀阱宽多量子阱1.55 μm高功率超辐射光源

• 作者: 刘杨 吴宾 宋俊峰 张源涛 曾毓萍 杜国同 许呈栋
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 量子光学 超辐射发光管 非均匀阱宽多量子阱 半导体光放大器 单片集成 光谱分割 多波长光源
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 激光器件
• 页码范围: 109-112
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1899字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2003.02.004

摘要

采用非均匀阱宽多量子阱材料拓宽超辐射器件的输出光谱,并利用前期关于倾斜脊形集成超辐射光源的研究成果,制得了新型的1.55 μm高功率宽光谱InGaAsP/InP集成超辐射光源.发现该器件较均匀阱宽多量子阱器件的输出光谱有很大变化,光谱半宽由原来的20～30 nm,增加到45～60 nm左右.该器件同样具有较好的抑制激射能力,在可测试范围内,在没有蒸镀腔面抗反射膜的情况下未见激射模式的出现.在准连续工作条件下,器件最大峰值功率已达到150 mW以上.