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1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长
1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长
作者:
于丽娟
芦秀玲
金潮渊
黄永箴
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
半导体光放大器
偏振不灵敏
宽接触激光器
摘要:
采用张应变量子阱结构,生长了光放大器材料.利用宽接触激光器TE和TM模的输出功率曲线判断并调整量子阱材料的应变量,得到了偏振灵敏度较低的光放大器结构.
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宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器
压应变InGaAs量子阱
张应变InGaAs准体材料
半导体光放大器
偏振灵敏度
增益
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1.55μm张应变InGaAsP/InGaAsP量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的优化设计
半导体光放大器
偏振不灵敏
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应变渐变结构
半导体光学放大器
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偏振不灵敏
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消光比
内容分析
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引文网络
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文献信息
篇名
1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长
来源期刊
半导体光电
学科
工学
关键词
半导体光放大器
偏振不灵敏
宽接触激光器
年,卷(期)
2003,(4)
所属期刊栏目
材料、结构及工艺
研究方向
页码范围
274-275
页数
2页
分类号
TN248
字数
1089字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-5868.2003.04.017
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
黄永箴
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
47
229
9.0
12.0
2
于丽娟
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
16
56
5.0
6.0
3
金潮渊
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
4
8
1.0
2.0
4
芦秀玲
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
2
0
0.0
0.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
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引文网络
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二级参考文献
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共引文献
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节点文献
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(0)
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(0)
二级引证文献
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1993(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1995(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2003(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
半导体光放大器
偏振不灵敏
宽接触激光器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
主办单位:
重庆光电技术研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-5868
CN:
50-1092/TN
开本:
大16开
出版地:
重庆市南坪花园路14号44所内
邮发代号:
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
总被引数(次)
22967
相关基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:
National Basic Research Program of China
官方网址:
http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:
农业
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