基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
采用张应变量子阱结构,生长了光放大器材料.利用宽接触激光器TE和TM模的输出功率曲线判断并调整量子阱材料的应变量,得到了偏振灵敏度较低的光放大器结构.
推荐文章
宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器
压应变InGaAs量子阱
张应变InGaAs准体材料
半导体光放大器
偏振灵敏度
增益
饱和输出功率
渐变应变偏振不灵敏半导体光学放大器
应变渐变结构
半导体光学放大器
大带宽
偏振不灵敏
宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关
半导体放大器光开关
宽带
偏振不灵敏
张应变准体InGaAs
光纤到光钎无损工作电流
消光比
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 半导体光放大器 偏振不灵敏 宽接触激光器
年,卷(期) 2003,(4) 所属期刊栏目 材料、结构及工艺
研究方向 页码范围 274-275
页数 2页 分类号 TN248
字数 1089字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5868.2003.04.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄永箴 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 47 229 9.0 12.0
2 于丽娟 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 16 56 5.0 6.0
3 金潮渊 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 4 8 1.0 2.0
4 芦秀玲 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 2 0 0.0 0.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (2)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1993(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1995(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2003(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
半导体光放大器
偏振不灵敏
宽接触激光器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
总被引数(次)
22967
相关基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:National Basic Research Program of China
官方网址:http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:农业
论文1v1指导