外电场作用下掺杂SBN晶体的光致折射率变化

• 作者: 张鹏 李振伟 李碧丽 杨德兴 赵建林
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光致折射率变化 SBN: Cr晶体 SBN: Rh晶体 外电场
• 年，卷（期）: 2003,（12）
• 所属期刊栏目: 非线性光学
• 页码范围: 1487-1491
• 页数: 5页
• 分类号: O734+.1|TN814+.6
• 字数: 1920字
• 语种: 中文

摘要

从实验上研究了不同外加直流电场作用下固液同成分的SBN: Cr和SBN: Rh晶体的光致折射率变化规律.测量结果表明:无外加电场作用时,晶体中的光致折射率变化不明显;若在光辐照晶体的同时,沿晶体c轴方向施加一定方向的外电场,则晶体中即刻出现显著的光致折射率变化.这种折射率变化随外加电场的增大而增大,并且电场方向不同,折射率变化的正负也不同.因而可以通过改变外加电场的极性和幅度控制SBN: Cr和SBN: Rh晶体中光致折射率的变化特性,这对于在该类晶体中制作动态光波导具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵建林	西北工业大学应用物理系光子学研究室	90	1019	19.0	27.0
2	杨德兴	西北工业大学应用物理系光子学研究室	39	273	9.0	14.0
3	李碧丽	西北工业大学应用物理系光子学研究室	4	74	4.0	4.0
4	张鹏	西北工业大学应用物理系光子学研究室	70	514	13.0	16.0
5	李振伟	西北工业大学应用物理系光子学研究室	5	28	4.0	5.0