强流脉冲电子束轰击产生表面熔坑的数值模拟研究

• 作者: 刘悦 吴爱民 王晓钢 秦颖 董闯 邹建新
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 强流脉冲电子束(HCPEB) 数值模拟 熔坑
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 计算机应用
• 页码范围: 85-89
• 页数: 5页
• 分类号: O532+.24|O242|TG113.1
• 字数: 3876字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-6264.2003.01.020

摘要

在纯Al强流脉冲电子束表面改性实验的基础上,通过数值计算方法对其温度场和熔化过程进行了模拟,给出了脉冲半高宽度为0.5μs、能量为3J/cm2电子束轰击铝靶后:熔化深度约为2.5μm,与TEM的观察结果一致,熔化从0.4μs开始到1.6μs结束,最先完全熔化的位置约为1.4μm,亚表层首先熔化并且迅速膨胀(沉积的能量在最大射程的1/3处达到最大值),体积膨胀力大约为275MPa,引起了熔体从亚表层通过表层向外喷发,熔体的喷发速度约为1330m/s,随后表面从内向外经历速率为109K/s的冷却过程,因而使得表面形成类似于火山坑状的"熔坑".验证了SEM和TEM的实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董闯	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	198	2023	23.0	34.0
2	王晓钢	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	20	157	7.0	12.0
3	吴爱民	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	38	263	10.0	15.0
4	秦颖	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	28	629	11.0	25.0
5	邹建新	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	9	230	7.0	9.0
6	刘悦	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	16	134	7.0	11.0