纳米结构制备技术

• 作者: 卢刚 王建农 葛惟昆 陈治明
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米结构 单电子晶体管 库仑阻塞 单电子隧穿
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 301-302
• 页数: 2页
• 分类号: TN32
• 字数: 732字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2003.02.039

摘要

随着纳米加工技术的发展,纳米结构器件必将成为将来的集成电路的基础.本文介绍了几种用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线、量子点和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法;用这种工艺方法在P型SIMOX硅片上成功制造的一种单电子晶体管,在其电流电压-特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
2	葛惟昆	香港科技大学物理系	14	37	4.0	5.0
3	王建农	香港科技大学物理系	13	55	4.0	7.0
4	卢刚	西安理工大学电子工程系	16	38	3.0	5.0