半导体三极管的损坏机理浅析

• 作者: 王东起
• 来源期刊: 胜利油田师范专科学校学报
• 学科: 工学
• 关键词: 三极管 击穿 偏置
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 57-58
• 页数: 2页
• 分类号: TM507
• 字数: 1817字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5935.2003.04.023

摘要

三极管的损坏,主要是指其PN结的损坏.按照三极管工作状态的不同,造成三极管损坏的具体原因是:工作于正向偏置的PN结,一般为过流损坏,不会发生击穿;而工作于反向偏置的PN结,当反偏电压过高时,将会使PN结因过压而击穿.