N2在多晶Ni表面电子诱导脱附的实验研究

• 作者: 崔一平 张彤 杨学谦 毛福明 胡安
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电子诱导脱附 阈值能量 脱附产额 脉冲调制电子探束
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 331-333,346
• 页数: 4页
• 分类号: TB71
• 字数: 2987字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2003.05.009

摘要

电子诱导脱附是近年来在真空科学与表面科学领域内的热门研究课题.电子诱导脱附不仅作为研究和探讨原子激发过程以及电子能量传输机制的有效手段,而且已经逐渐成为获取表面和界面结构、状态等信息的有效方法.本文介绍了利用两种实验装置研究N2在多晶Ni表面的电子诱导脱附实验,测量了(1×10-3 Pa)条件下,N2在多晶Ni表面的脱附产额、电子诱导脱附阈值能量等重要的物理参量.实验研究工作不仅为进一步深入理解和探讨电子诱导脱附内在机制提供了直接的实验依据,而且对表面吸附状态、吸附-脱附过程等理论研究工作以及真空测量、电子轰击除气等工程应用工作都有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔一平	东南大学电子工程系	160	1201	18.0	26.0
2	张彤	东南大学电子工程系	89	363	10.0	14.0
4	毛福明	东南大学电子工程系	12	38	3.0	5.0
5	胡安	南京大学固体微结构物理国家重点实验室	13	46	2.0	6.0
8	杨学谦	东南大学电子工程系	6	5	2.0	2.0