Mg:In:LiNbO3晶体波导基片光损伤性能研究

• 作者: 徐悟生 徐玉恒 王锐 许士文
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺杂铌酸锂晶体 波导基片 光损伤 引上法晶体生长
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: O734
• 字数: 2422字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2003.01.002

摘要

在LiNbO3中掺入3%MgO和1%In2O3(摩尔分数,下同),采用Czochralski法生长了3%Mg:2%In:LiNbO3晶体.极化后,对晶体进行氧化和还原处理.利用光斑畸变法,测试了晶体在488.0 nm波长下的抗光损伤能力,结果表明:Mg:In:LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高2个数量级以上.通过Li空位模型,研究了Mg:In:LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理.利用苯甲酸质子交换法制备了儿种晶体的光波导基片,并采用m-线法测试了y切型波导基片在632.8 nm波长下的光损伤阈值,Mg:In:LiNbO3光波导基片的抗光损伤能力也相应提高了2个数量级.