亚100nm SOI器件的结构优化分析

• 作者: 张国艳 王文平 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI器件 短沟效应 结构优化
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 986-990
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3104字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.09.019

摘要

分析了SOI器件各结构参数对器件性能的影响,给出了器件各结构参数的优化方向,找出了可行硅膜厚度和可行沟道掺杂浓度之间的设计容区.在部分耗尽与全耗尽SOI器件的交界处,阈值电压的漂移有一个峰值,在器件设计时应避免选用这一交界区.此外,随着硅膜厚度的减小,器件的泄漏电流随着沟道掺杂浓度的不同,有一个极小值.通过模拟分析发现,只要合理选择器件的结构参数,就能得到性能优良的SOI器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国艳	北京大学微电子学研究所	48	187	6.0	12.0
2	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
3	王文平	北京大学微电子学研究所	6	29	4.0	5.0