具有相分离InGaN有源层的白光发光二极管

• 作者: 金啸风
• 来源期刊: 光机电信息
• 学科: 工学
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 发光与显示
• 页码范围: 18-20
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 1507字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-1180.2003.05.005

摘要

韩国Kwangju理工学院光电子材料中心和材料科学工程系利用相分离InGaN有源层,无需添加荧光材料,制造出了白光发光二极管.这种二极管的白光发射归因于分离相InGaN三元合金中铟组分和类量子点富铟区域尺寸的宽分布.