(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx缓冲层上生长高各向异性磁电阻Ni0.81Fe0.19薄膜的研究

• 作者: 于广华 朱逢吾 李海峰 赵洪辰 马纪东 龙世兵
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 物理学
• 关键词: (Ni0.81Fe0.19)1-xCrx缓冲层 各向异性磁电阻 晶粒尺寸 Ni0.81Fe0.19(111)衍射峰
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 418-420
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 2998字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2003.05.003

摘要

用直流磁控溅射方法制备了以(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx为缓冲层的Ni0.81Fe0.19薄膜, 研究结果表明:当缓冲层厚度约为4.4 nm, Cr的浓度约为36(原子百分数)时, Ni0.81Fe0.19薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值较大, 其最大值达3.35%. 原子力显微镜(AFM)及X射线衍射(XRD)研究表明:Ni0.81Fe0.19薄膜AMR值最大时, 其表面平均晶粒尺寸最大, Ni0.81Fe0.19(111)衍射峰最强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于广华	北京科技大学材料物理与化学系	88	372	9.0	14.0
2	朱逢吾	北京科技大学材料物理与化学系	54	229	8.0	12.0
3	龙世兵	北京科技大学材料物理与化学系	6	91	5.0	6.0
4	马纪东	北京科技大学材料物理与化学系	9	52	4.0	7.0
5	赵洪辰	北京科技大学材料物理与化学系	6	53	5.0	6.0
6	李海峰	北京科技大学材料物理与化学系	3	11	1.0	3.0