AlGaN/GaN异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气输运的影响

• 作者: 张进城 李培咸 范隆 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN异质结 辐射 界面态电荷 二维电子气 迁移率
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 937-941
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.02|TN304.2+3
• 字数: 3472字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.09.009

摘要

根据荷电中心与自由载流子间的库仑散射作用,给出了异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气(2DEG)迁移率的散射模型.计算了在不同沟道电子面密度下,界面态电荷密度与其所限制的迁移率之间的关系.运用马德森定则分析了辐射感生界面态电荷散射对总迁移率的影响.分析表明,辐射感生界面态电荷在累积到一定量后,会显著影响迁移率,一定程度上提高2DEG密度能抑制界面态电荷散射的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子所	312	1866	17.0	25.0
2	范隆	西安电子科技大学微电子所	13	69	5.0	8.0
4	张进城	西安电子科技大学微电子所	52	301	9.0	14.0
5	李培咸	西安电子科技大学微电子所	36	324	10.0	17.0