关于多带隙半导体材料及太阳电池的分析

• 作者: 冯良桓 张静全 李卫 武莉莉 蔡亚平 蔡伟 郑家贵 黎兵
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 多带隙 深能级杂质 光学损失
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 页码范围: 58-61
• 页数: 4页
• 分类号: TK514
• 字数: 2956字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2003.z1.016

摘要

多带隙半导体是一种理想的半导体材料,它具有两个或两个以上被很窄的能带(或杂质带)分开的带隙.各个带隙有不同的宽度,因此,这种半导体对不同波长的光都有很好的吸收.A.Luque等提出了以这种半导体所构成的多带隙太阳电池模型,M.Green估算其理想转换效率上限高达86.8%.本文对这种电池的模型进行了分析,并提出了实现多带隙半导体材料和多带隙太阳电池的途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黎兵	四川大学材料科学系	44	264	8.0	15.0
2	冯良桓	四川大学材料科学系	78	424	10.0	17.0
3	蔡亚平	四川大学材料科学系	33	302	10.0	16.0
4	郑家贵	四川大学材料科学系	49	317	9.0	15.0
5	张静全	四川大学材料科学系	69	285	8.0	15.0
6	蔡伟	四川大学材料科学系	30	296	10.0	16.0
7	李卫	四川大学材料科学系	56	193	7.0	12.0
8	武莉莉	四川大学材料科学系	56	217	8.0	13.0