级联型低噪声放大器设计和优化的研究

• 作者: 方磊 陈邦媛
• 来源期刊: 电路与系统学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 密勒效应 共源 共栅 共源共栅级联
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 58-62
• 页数: 5页
• 分类号: TN722
• 字数: 3720字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-0249.2003.04.015

摘要

文章详细分析了共源共栅级联型低噪声放大器的优化设计方法.文章首先简要的介绍共源共栅MOSFET低噪声放大器优化设计步骤.在此基础上,通过分析整个级联型低噪声放大器的密勒效应对优化设计的影响,进一步提出了对共栅级MOSFET的沟道宽度优化的必要性.最后,文章以一个工作于2.4GHz,0.5μm工艺的低噪声放大器设计为例,证实了前面理论分析的正确性,并根据低噪声放大器的主要设计指标给出了共源共栅结构下共栅级MOSFET的沟道宽度的优化方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈邦媛	浙江大学信息科学与电子工程系	6	52	4.0	6.0
2	方磊	浙江大学信息科学与电子工程系	27	300	10.0	17.0