低损耗微波MEMS共平面波导在低阻硅上的实现

• 作者: 忻佩胜 朱自强 游淑珍 石艳玲 赖宗声 邵丽
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共平面波导 低阻硅衬底 微机械加工技术 插入损耗
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 994-998
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 3639字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.09.021

摘要

在低阻硅衬底上采用常规CMOS工艺和后处理微机械加工技术实现了微波MEMS共平面波导,并与高阻硅基平面结构共平面波导特性进行了比较.采用混合相似剖分有限元方法设计了一组不同特性阻抗值的传输线,并通过关键的混合腐蚀技术制备了50Ω和120Ω两种特性阻抗的传输线.由于腐蚀去除了信号线下方导致损耗的低阻硅衬底,使得传输线插入损耗、散射特性等得以改善.实验中,使用矢量网络分析仪分别在微机械加工前后对传输线进行了1GHz到40GHz频段的参数测试,利用多线分析技术对测试结果进行了分析.结果表明在微结构悬浮后共平面波导的损耗特性有了大幅度的降低,30GHz处插入损耗约为7dB/cm,较腐蚀前降低了10dB/cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石艳玲	华东师范大学电子科学技术系	47	205	8.0	12.0
2	忻佩胜	华东师范大学电子科学技术系	16	115	7.0	10.0
3	朱自强	华东师范大学电子科学技术系	40	272	11.0	13.0
4	赖宗声	华东师范大学电子科学技术系	136	779	13.0	18.0
5	游淑珍	华东师范大学电子科学技术系	7	26	2.0	5.0
6	邵丽	华东师范大学电子科学技术系	6	11	2.0	3.0